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NTD6415ANL, NVD6415ANL
2500
2000
1500
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
8
6
Q T
1000
C iss
4
Q ds
Q gs
500
0
0
10
C rss
20
30
40
C oss
50
60
70
80
90
100
2
0
0
5
10
15
20
V DS = 80 V
I D = 23 A
T J = 25 ° C
25 30
35
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
25
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
V DS = 80 V
I D = 23 A
V GS = 4.5 V
20
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
100
t f
t r
t d(off)
15
10
10
t d(on)
5
1
1
10
100
0
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
100
versus Gate Resistance
125
Current
I D = 23 A
10 m s
100
10
100 m s
75
1
0.1
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1 ms
10 ms
dc
50
25
0
1
10 100
1000
25
50 75 100 125 150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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